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    RU190N08Q

    發布時間:2013/12/3 8:08:00 訪問次數:998發布企業:深圳市晨豪科技有限公司

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    RUICHIPS專業從事功率集成電路、功率器件系列的設計及半導體微電子相關產品的研發;生產規模不斷擴大,產品涵蓋了MOSFET、IC、開關穩壓管等。
    我們的大電流,大功率,超低阻抗,超快速開關MOS ,擬填補國內空白,在其他產業也都有廣泛的應用(如:電源,UPS,SMPS,Battery,逆變器,功放,各類消費類電子)。
    公司也積極的部署IGBT /CMOS產品的研發,在電源管理芯片方面已流片成功CMOS 工藝為制程的16路恒流源,最小線寬0.35UM,以及各類開關穩壓管、各種低壓差線性穩壓器。產品具備高驅動能力、集成度高、體積小而且環保節能的優點,主要應用于LED驅動,未來還將在AC-DC、DC-DC方面加大研發力,提供一個具有成本效益的新一代大功率大電流MOSFET,同時也為客戶提供定制的系統設計。依托于持之以恒的研發投入,RUICHIPS一直在穩定、持續、快速的發展,為客戶提供優質、創新、低成本的集成電路產品和應用系統。
    Ruichips是一家專注從事功率半導體研發、生產、銷售的高新技術企業,在適配器快充、移動快充、車充、電機控制、新能源、逆變、鋰電保護等應用領域均占有領先地位,RUICHIPS致力于新產品研發,持續更新/優化新工藝、新技術,現有Trench MOSFET/SGT MOSFET/Super Junction MOSFET三大類產品線、數百種型號,累計獲得國家發明專利18項,尤其是RUICHIPS獨創的TO-220內絕緣封裝技術,徹底解決了終端客戶在散熱和裝配上的技術難點。
    MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
    般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
    場效應管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應管。
    PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;別名 : positive MOS。
    金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。
    P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后,多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規模和小規模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。
    MOSFET共有三個腳,一般為G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像,所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說,NMOS是在P型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區,作為NMOS的源漏區;PMOS是在N型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區,作為PMOS的源漏區。兩塊源漏摻雜區之間的距離稱為溝道長度L,而垂直于溝道長度的有效源漏區尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構,器件源漏是完全對稱的,只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
    PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底,其中的多數載流子是電子,少數載流子是空穴,源漏區的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子,而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時,在相對于源端為負的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(絕對值越大),溝道的導通電阻越小,電流的數值越大。
    與NMOS一樣,導通的PMOS的工作區域也分為非飽和區,臨界飽和點和飽和區。當然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區,其電壓條件是:
    VGS
    |VGS|>|VTP (PMOS)|,
    值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。
    PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。
    MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規模大的集成電路 [1] 。


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