IRFB4227PBF
IRFB4227PBF屬性
- IRFB4227PBF
- INFINEON
IRFB4227PBF描述
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制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
RoHS:詳細信息
技術:Si
安裝風格:ThroughHole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200V
Id-連續漏極電流:65A
RdsOn-漏源導通電阻:24mOhms
Vgs-柵極-源極電壓:-30V,+30V
Vgsth-柵源極閾值電壓:1.8V
Qg-柵極電荷:70nC
最小工作溫度:-40C
最大工作溫度:+175C
Pd-功率耗散:330W
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
商標:Infineon/IR
配置:Single
下降時間:31ns
正向跨導-最小值:49S
高度:15.65mm
長度:10mm
產品類型:MOSFET
上升時間:20ns
50
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1N-Channel
典型關閉延遲時間:21ns
典型接通延遲時間:33ns
寬度:4.4mm
零件號別名:IRFB4227PBFSP001565892
單位重量:2g